Танталовый лист 0,1х120х100 мм ТВЧ в Нижнем Новгороде

Для использования в качестве фольги для конденсаторов подходит танталовый лист марки ТВЧ толщиной 0.1 мм и тоньше. Его высокая чистота тантала обеспечивает низкие токи утечки и стабильные диэлектрические свойства после формирования анодного оксидного слоя, что критично для электронных компонентов.

Наибольшей пластичностью для глубокой вытяжки обладает танталовый лист марки ТВЧ. Его высокая чистота, низкое содержание примесей и крупнозернистая структура после отжига способствуют отличным формовочным свойствам, позволяя производить сложные изделия без трещин.

Существуют различные классы чистоты танталового листа, определяемые содержанием основного металла и примесей. Например, марка ТВЧ соответствует высокочистому танталу (99.9% и выше), тогда как сплавы содержат легирующие элементы и могут быть отнесены к технической чистоте по содержанию тантала.

Для концентрированной серной кислоты при температурах до 200°C оптимальны листы марок ТВЧ и ТаВ. ТВЧ проявляет высокую стойкость к окисляющим кислотам, а ТаВ, с добавлением ниобия, может демонстрировать улучшенную устойчивость к некоторым типам серной кислоты, особенно при наличии примесей.

Для танталового листа в случаях контакта с фторомсодержащими веществами (например, фтористоводородной кислотой) не существует эффективных защитных мер, так как тантал химически нестоек к фтору. Применение тантала в таких условиях категорически не рекомендовано.

Танталовый лист марки ТВЧ превосходит большинство других марок танталового листа (например, ТаВ с высоким содержанием ниобия) в средах с повышенным содержанием хлоридов благодаря своей высокой чистоте. Примеси могут создавать микрогальванические пары, усиливая локальную коррозию, тогда как чистый тантал остается пассивным и устойчивым к питтингу.

В производстве анодов для электролитических конденсаторов применяются танталовые листы высокой чистоты, прежде всего марки ТВЧ. Его способность к формированию стабильной и тонкой диэлектрической оксидной пленки с высоким пробивным напряжением критична для характеристик конденсатора.